常用霍爾元件的材料有鍺、硅、砷化甸、銻化甸等半導(dǎo)體材料。其中N型鍺容易加工制造，其霍爾系數(shù)、溫度性能和線性度都較好。N型硅的線性度最好，相比光電開(kāi)關(guān)參數(shù)有很大差異，而霍爾元件是其霍爾系數(shù)、溫度性能與N型鍺相近。銻化甸對(duì)溫度最敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)溫度系數(shù)大，但在室溫時(shí)其霍爾系數(shù)較大。砷化甸的霍爾系數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出特性線性度好。

　　霍爾元件的主要參數(shù)：

　　1、額定激勵(lì)電流和最大允許激勵(lì)電流：

　　在給霍爾元件加激勵(lì)電流時(shí)，霍爾元件的溫度升高10度，此時(shí)的激勵(lì)電流稱為額定激勵(lì)電流，用符號(hào)1C表示。當(dāng)激勵(lì)電流增大時(shí)，霍爾電壓也會(huì)隨著增大。為了獲得較大的霍爾電壓，在應(yīng)用中會(huì)采用較大的激勵(lì)電流，但是激勵(lì)電流過(guò)大，霍爾元件的功耗就會(huì)增大，霍爾元件的溫度升高，會(huì)引起霍爾電壓的溫度漂移增大，影響測(cè)量精度，因此各種型號(hào)的霍爾元件都規(guī)定了對(duì)應(yīng)的最大激勵(lì)電流IM，它的數(shù)值從幾毫安至十幾毫安不等。

　　2、輸入電阻和輸出電阻：

　　霍爾元件兩個(gè)激勵(lì)電端的電阻被稱為輸入電阻RI，兩個(gè)霍爾電壓輸出端子之間的電阻被稱為輸出電阻RO。不同類(lèi)型的霍爾元件，輸入電阻和輸出電阻的阻值一般從幾十歐姆到幾百歐姆不等。

　　3、不等位電動(dòng)勢(shì)和不等位電阻：

　　不等位電動(dòng)勢(shì)是指沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，霍爾元件在額定激勵(lì)電流的作用下，霍爾元件輸出的開(kāi)路電壓，一般用符號(hào)UM表示，產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因有：

　　A：霍爾電極安裝位置不對(duì)稱或不在同一等電位面上;

　　B：半導(dǎo)體材料不均勻造成了電阻率不均勻或是幾何尺寸不均勻;

　　C：激勵(lì)電極接觸不良造成激勵(lì)電流不均勻分布等。

　　4、寄生直流電動(dòng)勢(shì)：

　　當(dāng)外加磁場(chǎng)為零時(shí)，給霍爾元件通上交流電流，霍爾電極端子會(huì)輸出一個(gè)寄生直流電動(dòng)勢(shì)，是由控制電極和基片之間的非完全歐姆接觸所產(chǎn)生的整流效應(yīng)造成的。

　　5、霍爾電壓的溫度系數(shù)：

　　霍爾電壓的溫度系數(shù)A是指在一定磁感應(yīng)強(qiáng)度和一定的控制電下，溫度每變化1度時(shí)，霍爾電壓產(chǎn)生的變化率。