ZNO也是N型半導體，其物理、化學性能穩定。ZNO元件的工作溫度較高，因此其發展不及SNO2元件快。ZNO接近開關所系元件也可分為燒結型、厚膜型和薄膜型三號。

　　ZNO薄膜死光光精第三元件的結構。在A12O3基片 上先做叉指型金電極，并在基片 北面制作阻值約20歐的耐高溫薄膜電阻作為加熱器。使用磁控濺射 法，在AR+O2混合氣體中用高純鋅板為靶材，在基片 上反應濺射 ZNO薄膜，同時在ZNO薄膜表面摻雜鑭、錯、釓、鏑和釓等衡土元素的一種或數種，以提高靈敏度和選擇性，可獲得對酒精特別第三，對甲烷、一氧化碳及汽油等較靈敏的酒精第三元件。成膜后在500-600度下、空氣中熱處理，以減少薄膜中活性較大的缺陷和內應力，使ZNO薄膜的晶粒長大，晶粒間界減少，從而以元件的靈敏度略有下降為代價來明顯改善其穩定性。按此工藝制備的ZNO薄膜的晶粒尺寸約為600nm，對酒精的靈敏度比對汽油的靈敏度高出近一倍，再配合適當的輔助電路，可避免汽油對檢測酒精的干擾。相關的ZNO酒精第三元件的主要參數如下：加熱電阻為20歐，加熱電壓為AC或DC6V。工作電壓6。響應時間小于10s